特許
J-GLOBAL ID：200903083070416326
微細パターン形成方法、この微細パターン形成方法によって形成される型、この型を用いた転写方法および微細パターン形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-008011
公開番号（公開出願番号）：特開2008-247022
出願日： 2008年01月17日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、正確な形態の微細パターンを前記基材に形成する。【解決手段】第1群の被覆工程と転写工程エッチングによる微細パターン形成工程と、第2群の被覆工程と転写工程エッチングによる微細パターン形成工程とによって、微細パターンを基材W1につなげて形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
モールドに形成されている微細な転写パターンに対応した微細パターンを、基材につなげて形成する微細パターン形成方法において、
前記基材の表面を転写素材の膜で覆う第1の被覆工程と;
前記第1の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、前記モールドを押し付けて、前記第1の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第1の転写工程と;
前記第1の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第1の微細パターン形成工程と;
前記第1の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第1の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第1の除去工程と;
前記第1の除去工程で転写素材が除去された後に、前記基材の表面の部位を、転写素材の膜で覆う第2の被覆工程と;
前記第2の被覆工程によって転写素材の膜が表面に設けられている前記基材に、モールドを押し付けて、前記第2の被覆工程で形成された転写素材に前記微細な転写パターンを転写する第2の転写工程と;
前記第2の転写工程による微細パターンの転写後にエッチングをすることによって、前記モールドの微細な転写パターンに対応した微細パターンを前記基材に形成する第2の微細パターン形成工程と;
前記第2の微細パターン形成工程による微細パターンの形成後に、前記第2の被覆工程で設けられた前記転写素材を除去する第2の除去工程と;
を有することを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (3件)：
B29C 59/02
, H01L 21/027
, G03F 7/20
B29C59/02 Z
, H01L21/30 502D
, G03F7/20 501
2H097AA20
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH73
, 4F209AJ02
, 4F209AJ06
, 4F209AJ08
, 4F209AJ09
, 4F209AR07
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PN13
, 4F209PQ11
, 5F046AA28
出願人引用 (1件)
-
インプリント・リソグラフィ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-377640
出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
