特許

J-GLOBAL ID：200903083071711194

半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 潤 ,  小林 元樹 ,  松井 孝行
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211582
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064297
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 配線の信頼性を向上させる。【解決手段】 シリコン基板41にフィールド酸化膜42、ゲート酸化膜43を形成した後、リンドープ多結晶シリコン44とNSG45からなるワードラインの配線パターンを形成する。NSG46を形成した後、イオン注入法により、ソース・ドレイン47を形成する。次に、シリコン窒化膜48、BPSGを全面に形成した後、レジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクとして、BPSG、シリコン窒化膜48を除去する。さらに、NSGをエッチバックして、サイドウォールNSGを形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート酸化膜を有するシリコン基板の前記ゲート酸化膜上に導電膜と絶縁膜を有する配線パターンを形成する工程と、全面に第1の酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程と、前記第1の酸化シリコン系絶縁膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に第2の酸化シリコン系層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の酸化シリコン系層間絶縁膜、前記シリコン窒化膜、前記第1の酸化シリコン系絶縁膜を除去して、前記配線パターン間にコンタクトホールを開口する工程とを、含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 D