特許

J-GLOBAL ID：200903083073145846

デュアルポートメモリ

発明者： 早野 浩司 ,  小川 俊行
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-349716
公開番号（公開出願番号）：特開平5-159566
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 RAMの行方向を多分割してブロック数を増やしても、RAM-SAM間のデータ転送が可能なデュアルポートメモリを得る。【構成】 RAM部からSAM部へのデータ転送の際、活性化信号SAE0によりセンスアンプ3を動作させてブロック0のデータを増幅させた後、ゲート4を開きデータをブロック1に送り、前記センスアンプ3の動作に時間的に差をつけて、センスアンプ活性化信号SAE1 によりセンスアンプ7を動作させ、データを増幅させた後、ゲート8を開きデータレジスタ9にデータを転送するようにした。

請求項（抜粋）：

行及び列方向にメモリセルが配置されたメモリセルアレイを有するRAM部と、上記メモリセルアレイに隣接して配置され、RAM部のビット線対と同数のデータレジスタを有し、上記RAM部の1行分のデータを記憶するSAM部とを備え、上記RAM部及びSAM部間でのデータ転送が可能なデュアルポートメモリにおいて、上記RAM部のメモリセルアレイを行方向に分割して複数のメモリセルブロックを形成するとともに、各メモリセルブロック内のビット線対の電位を増幅する電位増幅手段を上記ブロックの数に応じて設け、上記複数の電位増幅手段を、上記RAM部及びSAM部間でのデータ転送方向に順次時間差を付けて活性化するよう制御する制御手段を設けたことを特徴とするデュアルポートメモリ。