特許
J-GLOBAL ID：200903083075058975
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075216
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 素子分離の歩留まりを向上させた半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 基板の片面にエピタキシャル層を積層したウェハー6にスクライブ溝8、10を形成し、該スクライブ溝8、10を利用して前記ウェハー6をへき開して共振器面を形成し、素子を分離する半導体レーザ素子の製造方法において、共振器面形成のためのスクライブ溝8をウェハー6のエピタキシャル積層面7に形成し、素子分離のためのスクライブ溝10をウェハー6の基板面9に形成する。
請求項（抜粋）：
基板の片面にエピタキシャル層を積層したウェハーにスクライブ溝を形成し、該スクライブ溝を利用して前記ウェハーをへき開して共振器面を形成し、素子を分離する半導体レーザ素子の製造方法において、共振器面形成のためのスクライブ溝をウェハーのエピタキシャル積層面に形成し、素子分離のためのスクライブ溝をウェハーの基板面に形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
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