特許
J-GLOBAL ID：200903083081132036
配線基板およびその製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057950
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273480
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】陽極酸化膜を用いて、所望の部分の孔に導電材料を埋め込み、その他の孔に絶縁材料を埋め込むことで、短絡を起こさない電極接続の信頼性を高めた配線基板の提供を図る。【解決手段】貫通孔12が多数形成されている多孔質金属酸化膜11からなる基板と、前記基板の電極が配置される位置に形成されている貫通孔12の内部を埋め込む導電材料13と、前記導電材料13が埋め込まれた以外の前記貫通孔12の内部を埋め込む絶縁材料14とを備えた配線基板10である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
貫通孔が多数形成されている多孔質金属酸化膜からなる基板と、
前記基板の電極が配置される位置に形成されている貫通孔の内部を埋め込む導電材料と、
前記導電材料が埋め込まれた以外の前記貫通孔の内部を埋め込む絶縁材料と
を備えたことを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
5E317AA24
, 5E317BB04
, 5E317BB11
, 5E317CC33
, 5E317CD15
, 5E317CD18
, 5E317CD27
, 5E317CD34
, 5E317CD40
, 5E317GG11
