特許

J-GLOBAL ID：200903083083188349

撮像素子の製造方法

発明者： 福所 孝
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074304
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266295
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 十分なカバレッジで遮光膜を形成できて十分な遮光機能を有し、センサー領域を十分にとれて撮像感度の劣化や感度ムラを防止でき、多様なプロセスに対応可能とすることもできる撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に凸状の導体部(ゲート電極3,5等)を有し、かつセンサー領域と、遮光領域とを有する撮像素子の製造方法において、凸状の導体部を形成後、センサー領域が検知すべき光に対して透明な材料からなる平坦化膜7を形成し、該平坦化膜の遮光領域に該当する部分を選択的に除去し、遮光膜8を成膜し、ポリッシュ法もしくはエッチバック法により該遮光膜のセンサー領域に該当する部分を選択的に除去する撮像素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に凸状の導体部を有し、かつセンサー領域と、遮光領域とを有する撮像素子の製造方法において、凸状の導体部を形成後、センサー領域が検知すべき光に対して透明な材料からなる平坦化膜を形成し、該平坦化膜の遮光領域に該当する部分を選択的に除去し、遮光膜を成膜し、ポリッシュ法もしくはエッチバック法により該遮光膜のセンサー領域に該当する部分を選択的に除去する工程を含むことを特徴とする撮像素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 D ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 B