特許

J-GLOBAL ID：200903083088590536

高分子電解質とその調製法

発明者： ヘルマー-メッツマン,フレディ ,  シュライヒャー,アンドレアス ,  シュネラー,アルノルト ,  ヴィッテラー,ヘルムート
出願人/特許権者： ヘキスト・リサーチ・アンド・テクノロジー・ドイチュラント・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カーゲー
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-507173
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510198
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】本発明は、ポリアリーレンスルフィドを-10°Cから+20°Cの温度でクロロスルホン酸に完全に溶解し、ついで場合によっては発煙硫酸または無水酢酸を加えて+5°Cから+20°Cの範囲の反応温度で、せいぜい180分の反応時間の間撹拌した後、水性媒質中に沈殿させるポリアリーレンスルフィドのクロロスルホン化法に関する。ポリアリーレンスルフィドはポリパラフェニレンスルフィドが好ましい。本発明は、この方法で製造される、N-メチルピロリドン中に10から50重量%の量で溶解し、50,000g/mol以上の平均分子量Mwを有するクロロスルホン化ポリアリーレンスルフィドにも関する。最後に、本発明は、成形品、箔、繊維または2から200mS/cmの範囲のプロトン伝導率を有する隔膜を製造するためのクロロスルホン化ポリアリーレンスルフィドの使用にも関する。

請求項（抜粋）：

極性非プロトン性溶媒に可溶なポリアリーレンスルフィドースルホン酸。

IPC (8件)：

C08G 75/02 ,  B01D 71/66 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08L 81/02 ,  C09D181/02 ,  D01F 6/76 ,  H01B 1/12 ,  H01M 8/02

FI (8件)：

C08G 75/02 ,  B01D 71/66 ,  C08J 5/18 CEZ ,  C08L 81/02 ,  C09D181/02 ,  D01F 6/76 D ,  H01B 1/12 Z ,  H01M 8/02 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スルホン化ポリアリーレンスルフィド化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-097439   出願人：土田英俊