特許
J-GLOBAL ID：200903083098281124
薄膜エレクトロルミネッセンス素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216937
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063769
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】発光層にクラックや膜剥離などを生じない、輝度低下の少なく、信頼性の高いEL素子を提供する。【解決手段】基板上に第1の電極層、第1の絶縁層、アルカリ土類硫化物よりなる発光層、第2の絶縁層および第2の電極層が積層されてなる薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、前記基板の線膨張係数を前記アルカリ土類硫化物の線膨張係数の0.5〜1.5倍とする。図1は薄膜EL素子の輝度変化のグラフであり、aは本発明に係る素子のカーブ、bは従来の素子のカーブである。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極層、第1の絶縁層、アルカリ土類硫化物よりなる発光層、第2の絶縁層および第2の電極層が積層されてなる薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、前記基板の線膨張係数は前記アルカリ土類硫化物の線膨張係数の0.5〜1.5倍であることを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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