特許
J-GLOBAL ID：200903083100691114
光電変換装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009419
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214725
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 入射光の表面反射が少なく、裏面反射が有効に使え半導体層中の光路長が長いため、高変換効率の太陽電池、光センサなどの光電変換装置を低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 基板となるSi(シリコン)ウェハ28の表面に凹凸形状を形成する。つぎに、Siウェハの凹凸面をフッ酸系の溶液のなかで陽極化成して、表面を多孔質Si層29にし、多孔質Si層29上にn+Si層24、p-Si層25、p+Si層26の順にエピタキシャル成長させる。その後、p+Si層上に接着剤50を使って、裏面反射層となるSUS基板27とp+Si層26を接着させる。そして、SUS基板27とSiウェハ28の間に引っ張り力をかけて、多孔質Si層29でエピタキシャルSi層24,25,26とSiウェハ28を分離する。そして、n+Si層24上にグリッド電極21を形成し、反射防止層23を設けて表面と裏面が凹凸形状の太陽電池を製造する。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体薄膜を形成し、前記半導体薄膜を光電変換層とし、前記半導体薄膜の裏面に裏面反射層を有する光電変換装置の製造方法において、前記基板に予め凹凸形状を形成し、前記凹凸形状をトレースして前記半導体薄膜を成長させることによって、前記半導体薄膜の表面と裏面に凹凸形状を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 21/306 B
