プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のステージ製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350985
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168087
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理対象表面のチャージアップ分布を均一化してゲート破壊を少なくすることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置のステージ製造方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理対象のウェハWが載置される載置面11aを有するステージ11を備えたプラズマ処理装置において、載置面11aは、プラズマ処理時の装置使用温度でステージ11が変形した後とステージ11が変形する前の高低差が100μm以下の平坦度を有する。ステージ11を、プラズマ処理時の装置使用温度での変形を想定しプラズマ処理時に平坦面を確保するように、常温で加工する。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理対象が載置される載置面を有するステージを備えたプラズマ処理装置において、前記載置面は、プラズマ処理時の装置使用温度で前記ステージが変形した後と前記ステージが変形する前の高低差が100μm以下となる平坦度を有することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H01L 21/68 , H05H 1/46

FI (5件)：

G03F 7/42 , H01L 21/68 N , H05H 1/46 A , H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

Fターム (23件)：

2H096AA25 , 2H096LA07 , 5F004AA01 , 5F004AA06 , 5F004BA01 , 5F004BB18 , 5F004BD04 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F004EB02 , 5F031CA02 , 5F031HA05 , 5F031HA07 , 5F031HA16 , 5F031HA33 , 5F031HA37 , 5F031HA58 , 5F031MA23 , 5F031MA27 , 5F031MA28 , 5F031MA32 , 5F031PA14 , 5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体ウェハ温度制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238013 出願人：日本電気株式会社
ドライエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-322732 出願人：新日本製鐵株式会社
テーブル装置およびこれを用いたプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-025202 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る