平行平板電極型プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159093
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008225
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】均一なガス流を実現して、半導体ウェハを均一にエッチングすることを課題とする。【解決手段】処理室21と、この処理室21内に設けられ、半導体ウェハ27が載置される下部電極25と、前記処理室21内に前記下部電極25と対向するように設けられた中空円筒状の上部電極24と、前記下部電極25及び上部電極24間にエッチングを行うための反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記下部電極25と上部電極24の間に反応性ガスのプラズマを形成するためのプラズマ形成手段と、前記処理室21内でかつ第上部電極24の上方のガス供給側に配置された、アルミナからなるガス分散板26とを具備することを特徴とする平行平板電極型プラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

処理室と、この処理室内に設けられ、被エッチング体が載置される第1電極と、前記処理室内に前記第1電極と対向するように設けられ、第1電極に対向する主面に多数のガス吐出口を形成した中空円筒状の第2電極と、前記第1電極及び第2電極間にエッチングを行うための反応性ガスを供給するガス供給手段と、前記第1電極と第2電極の間に反応性ガスのプラズマを形成するためのプラズマ形成手段と、前記第2電極内に配置された多孔質材からなるガス分散板とを具備することを特徴とする平行平板電極型プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 A , H05H 1/46 M

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