特許

J-GLOBAL ID：200903083111991829

湿度センサ

発明者： 奥戸 崇史
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-341076
公開番号（公開出願番号）：特開2006-153512
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】従来に比べて高感度化および低消費電力化を図れる湿度センサを提供する。 【解決手段】半導体基板1の一表面側に一対の櫛形状の電極3,4であって各電極3,4それぞれの櫛歯部3b,4bが他方の電極4,3の櫛溝部4c,3cに入り込んだ一対の櫛形状の電極3,4が形成され、半導体基板1の上記一表面側において各電極3,4それぞれの直下に各電極3,4それぞれに対応する櫛形状であって半導体基板1よりも不純物濃度の高い一対の高濃度不純物層5,6が形成され、半導体基板1の上記一表面側において一対の高濃度不純物層5,6間に多孔質層からなる感応部2が形成され、感応部2の直下に感応部2に対応する平面形状であって各高濃度不純物層5,6とは離間したヒータ7が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一表面側に一対の櫛形状の電極であって各電極それぞれの櫛歯部が他方の電極の櫛溝部に入り込んだ一対の櫛形状の電極が形成され、半導体基板の前記一表面側において各電極それぞれの直下に各電極それぞれに対応する櫛形状であって半導体基板よりも不純物濃度の高い一対の高濃度不純物層が形成され、半導体基板の前記一表面側において一対の高濃度不純物層間に多孔質層からなる感応部が形成され、感応部の直下に感応部に対応する平面形状であって各高濃度不純物層とは離間したヒータが形成されてなることを特徴とする湿度センサ。

IPC (2件)：

G01N 27/22 ,  G01N 27/12

FI (2件)：

G01N27/22 A ,  G01N27/12 G

Fターム (21件)：

2G046AA09 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB01 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046BE03 ,  2G046BE07 ,  2G046BF02 ,  2G046DB01 ,  2G046FE38 ,  2G060AA01 ,  2G060AB02 ,  2G060AF10 ,  2G060AG10 ,  2G060BA01 ,  2G060BB05 ,  2G060BD02 ,  2G060HB05 ,  2G060JA02 ,  2G060KA04