特許
J-GLOBAL ID：200903083114395470
平坦化された多結晶シリコンゲートを備えた集積回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100879
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021054
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【構成】 フィールド酸化膜(12)上に堆積された多結晶シリコン層(20,22)を平坦化することにより、部分的に製造された半導体デバイス表面上に半導体デバイスを形成する方法である。平坦化は、アクティブ領域とフィールド酸化膜の縁部にある高さの変動に由来する、多結晶シリコン層の表面上の段差を取り除く。平坦化された多結晶シリコンは、ゲート、ソース及びドレーン接点、相互接続及びその他のデバイス及び回路素子を形成するために用いられる後続のホトリソグラフィパターン形成工程のために、平坦な表面を提供する。【効果】 パターン形成を行う場合に平坦な多結晶シリコン表面が得られ、ライン幅に関する許容誤差が改善される。
請求項（抜粋）：
基板表面及びアクティブ領域を有する部分的に製造された半導体デバイスを平坦化する方法であって、該方法が、前記アクティブ領域を保護し、該アクティブ領域の外側にフィールド酸化膜を成長させ、該フィールド酸化膜と前記アクティブ領域との界面が少なくとも一つの段差を有し、前記アクティブ領域、フィールド酸化膜及びフィールド酸化膜とアクティブ領域との界面上に第一の多結晶シリコン層を堆積し、該第一の多結晶シリコン層が半導体基板から離れた側の上部表面を有し、前記第一の多結晶シリコン層の上部表面を、それが前記フィールド酸化膜の上部表面と実質的に同一平面となるまで平坦化し、前記第一の多結晶シリコン層の上部表面及び露出されたフィールド酸化膜の少なくとも一つの領域上に第二の多結晶シリコン層を堆積し、該第二の多結晶シリコン層が垂直方向の段差を実質的に有しない平坦な表面を有することからなる方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/304 321
, H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 21/88 K
, H01L 29/78 301 Y
