特許

J-GLOBAL ID：200903083114498767

誘電体薄膜および誘電体薄膜を用いた薄膜発光素子

発明者： 野田 浩司 ,  藤川 久喜 ,  山下 勝次 ,  多賀 康訓
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025724
公開番号（公開出願番号）：特開平7-282979
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 単層で比誘電率が高くかつ透明導電膜と積層しても絶縁耐圧が低下しない誘電体薄膜およびその誘電体薄膜を用いた薄膜発光素子とすることを目的とする。【構成】 酸化タンタルと該酸化タンタルに含有されている酸化インジュウム、酸化錫、酸化亜鉛の少なくとも1種とからなり薄膜状である誘電体薄膜。薄膜発光層の両主面に誘電体層を被覆した積層構造部を透明電極と背面電極間に介在してなる薄膜発光素子において、前記誘電体薄膜が用いられた薄膜発光素子。比誘電率が高く絶縁破壊耐圧の高い誘電体薄膜となる。

請求項（抜粋）：

酸化タンタルと該酸化タンタルに含有されている酸化インジウムおよび酸化錫の少なくとも1種とからなり薄膜状であることを特徴とする誘電体薄膜。