特許

J-GLOBAL ID：200903083122699526

半導体装置の製造方法

発明者： 岡 ▲隆▼弘
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026039
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 ウエハを薄型化すると、製造工程においてウエハが割れることがあり、コストアップになっていた。【解決手段】 ウエハ1の表面にバックグラインド用保護テープ2を貼り付けてバックグラインド処理をした後、バックグラインド用保護テープ2を貼り付けた状態でウエハ1の裏面にダイスボンド用テープ状接着剤6を貼り付け、その後、バックグラインド用保護テープ2を剥し、プロービングし、ダイスボンド用テープ状接着剤6にダイシング用保護テープ3を貼り付け、ダイシングした後、ピックアップツール5でダイスボンド用テープ状接着剤6の付いた半導体素子11をピックアップし、ダイスボンド用テープ状接着剤6を利用してダイスボンドするようにした。

請求項（抜粋）：

半導体素子を複数個形成したウエハを準備する工程と、前記ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り付ける工程と、前記ウエハの裏面をバックグラインド処理する工程と、バックグラインド処理した前記ウエハの裏面にダイスボンド用テープ状接着剤を貼り付ける工程と、前記バックグラインド用保護テープを剥す工程と、前記ウエハをプロービングする工程と、前記ダイスボンド用テープ状接着剤にダイシング用保護テープを貼り付ける工程と、前記ウエハ、ダイスボンド用テープ状接着剤及びダイシング用保護テープの一部を個別の半導体素子のサイズにダイシングする工程と、前記ダイシング用保護テープから、前記ダイスボンド用テープ状接着剤が貼り付いた前記個別の半導体素子を分離する工程と、分離した前記半導体素子を前記ダイスボンド用テープ状接着剤を利用してダイスボンドする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 21/52 C ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 Q

Fターム (3件)：

5F047BA21 ,  5F047BB03 ,  5F047BB19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-007156   出願人：ソニー株式会社