特許
J-GLOBAL ID：200903083124199040
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291444
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140188
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【構成】 マイクロ波発振器24と、マイクロ波を伝送する導波管23と、導波管23に接続された誘電体線路20と、誘電体線路20に対向配置されたマイクロ波導入窓13を有する反応器10とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波の進行方向Zに垂直な誘電体線路20の幅方向長さwY が反応器10におけるプラズマ発生領域17の幅方向長さWY 以上に設定されているマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 プラズマ発生領域17に導入される電界の強度レベルを均一化することができ、広いプラズマ発生領域17においてプラズマ密度の均一性を高めることができ、したがって大口径の半導体基板を均一に処理することができる。
請求項（抜粋）：
マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続された誘電体線路と、該誘電体線路に対向配置されたマイクロ波導入窓を有する反応器とを備えたマイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波の進行方向に垂直な前記誘電体線路の幅方向長さが前記反応器におけるプラズマ発生領域の幅方向長さ以上に設定されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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