特許
J-GLOBAL ID:200903083126205994

自己組織化単分子膜の形成方法及び構造体、電界効果型トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (21件): 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-248777
公開番号(公開出願番号):特開2009-290187
出願日: 2008年09月26日
公開日(公表日): 2009年12月10日
要約:
【課題】より一般的で入手が容易な材料から形成可能で、真空や高温が必要なく短時間で形成可能、かつ再現性の良い自己組織化単分子膜の形成方法を提供する。【解決手段】分子の一方の末端に少なくともアルコキシシラン基またはクロロシラン基を有するアルキルシラン化合物を、誘電率が3.0以上6.0以下である有機溶媒に溶解し溶液とする第1工程と、基体に前記溶液を塗布または基体を前記溶液に浸漬する第2工程と、前記基体上の前記溶液を乾燥する第3工程とを少なくとも有する自己組織化単分子膜の形成方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
分子の一方の末端に少なくともアルコキシシラン基またはクロロシラン基を有するアルキルシラン化合物を、誘電率が3.0以上6.0以下である有機溶媒に溶解し溶液とする第1工程と、 基体に前記溶液を塗布または基体を前記溶液に浸漬する第2工程と、 前記基体上の前記溶液を乾燥する第3工程と を少なくとも有する自己組織化単分子膜の形成方法。
IPC (5件):
H01L 21/312 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40
FI (5件):
H01L21/312 A ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J
Fターム (41件):
5F058AB06 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34

前のページに戻る