特許

J-GLOBAL ID：200903083126499173

半導体装置の製造方法

発明者： 田口 充 ,  長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293380
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125783
出願日： 1996年10月15日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 有機材料からなる層間絶縁膜に、この層間絶縁膜を破壊することなく埋め込み配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上に層間絶縁膜2を介して形成された下層Al合金配線3を覆うように、フルオロカーボンポリマー、フッ化ポリアリルエーテル、フッ化ポリイミド、ポリパラキシリレンなどの低誘電率の有機材料からなる層間絶縁膜4を成膜する。次に、この層間絶縁膜4に接続孔5および配線溝6を形成した後、Si基板1の全面にTiN/Ti膜7および上層Al合金膜8を順次成膜する。次に、例えば420°Cで高圧リフロー法により上層Al合金膜8をリフローさせて接続孔5および配線溝6の内部を埋め込む。この後、接続孔5および配線溝6以外の部分の不要なTiN/Ti膜7および上層Al合金膜8を研磨により除去し、接続孔5および配線溝6に埋め込まれ、下層Al合金配線3にコンタクトした溝配線を形成する。

請求項（抜粋）：

有機材料からなる層間絶縁膜に埋め込み配線を形成するようにした半導体装置の製造方法において、高圧リフロー法を用いて上記埋め込み配線を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 S