特許

J-GLOBAL ID：200903083131173570

半導体装置及びその製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  宮本 忠芳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200603
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064831
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 通常の固相成長法で得られる結晶性よりさらに高い結晶性をもつ高品質な結晶性ケイ素膜を、600°C以下の熱処理により形成することができ、しかも各処理工程でのマスクアライメントを簡単に行うことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 活性領域103iを、非晶質ケイ素膜を選択的に結晶化させた結晶性ケイ素領域103b内に、非晶質ケイ素領域103cと結晶性ケイ素領域103bとの境界101aを用いたマスクアライメントにより位置決めして形成した。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に形成され、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域とを備え、該活性領域は、非晶質ケイ素膜を選択的に結晶化させた結晶性ケイ素領域内に形成され、該非晶質ケイ素膜の非晶質ケイ素領域と結晶性ケイ素領域との境界を用いたマスクアライメントにより位置決めしたものである半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/68 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C