特許

J-GLOBAL ID：200903083140008522

高値抵抗及びその製造方法

発明者： ロバート オー. ミラー
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190455
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104384
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高値集積回路抵抗及びその製造方法の提供。該抵抗は、基板上にシリコンを有する層を有しており、該シリコンを有する層内にBF2 ドーパントが存在し、且つ該シリコンを有する層の領域と接触してドナー不純物ドーパントが存在する。【構成】 本抵抗を製造する方法は、アモルファスシリコン又はポリシリコンの層を設け、その中にBF2 を注入する。BF2 を注入するエネルギは、注入したBF2 の濃度のピークがポリシリコン膜の厚さのほぼ中央に位置すべく選択される。該抵抗へのコンタクトはドナータイプドーパント例えば砒素を該層のコンタクト区域内に注入することにより形成され、且つ最終的に、ドープしていない酸化物膜及びBPSG膜を該抵抗上に形成し、且つリフローさせて平坦化した表面を形成する。

請求項（抜粋）：

集積回路抵抗において、基板が設けられており、前記基板上にシリコンを有する層が設けられており、前記シリコンを有する層内にBF2 ドーパントが存在しており、前記シリコンを有する層の領域と接触してドナー不純物ドーパントが存在していることを特徴とする集積回路抵抗。