特許

J-GLOBAL ID：200903083140043077

光電変換素子

発明者： 沢山 一平
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234918
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094767
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 光照射下の温湿度サイクルにおいても出力低下が少ない光電変換素子を提供する事を目的とする。【構成】 光電変換を有する半導体と、該半導体上の透明導電層上に撥水性を有する微粉末粒子を含有した導電部材をする光電変換素子。【効果】 光照射下の温湿度サイクルに於いて出力低下が極めて少ない光電変換素子とすることが出来る。

請求項（抜粋）：

光電変換を有する半導体と、該半導体上の透明導電層と、該透明導電層上に撥水性を有する微粉末粒子を含有した導電部材を有することを特徴とする光電変換素子。