特許
J-GLOBAL ID：200903083143481652
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-083190
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358407
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、素子抵抗を低減し、高品位なビームを得る。【解決手段】 n-GaNコンタクト層19とn-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層21の間にn-Ga1-z4Alz4N組成傾斜層20を設け、n-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層21とnあるいはi-Ga1-z2Alz2N光導波層23の間にn-Gal-z5Alz5N組成傾斜層22を設け、pあるいはi-Ga1-z2Alz2N光導波層26とp-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層28の間にp-Gal-z5Alz5N組成傾斜層27を設け、p-Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層28とp-GaNコンタクト層30の間にp-Ga1-z4Alz4N組成傾斜層29を設ける。Ga1-z4Alz4N組成傾斜層のz4は0からGa1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層のバンドギャップに相当する組成まで連続的に組成を変化させる。Gal-z5Alz5N組成傾斜層のz5はz2からGa1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層のバンドギャップに相当する組成まで連続的に変化させる。
請求項（抜粋）：
第一導電型GaN層の上に、少なくとも、第一導電型下部クラッド層、第一導電型下部光導波層、活性層、第二導電型上部光導波層、第二導電型上部クラッド層および第二導電型GaNコンタクト層がこの順に積層されてなり、活性層より上に電流注入窓を有する半導体レーザ装置において、前記第一導電型GaN層と前記第一導電型下部クラッド層の間に、該第一導電型GaN層から該第一導電型下部クラッド層に向かってバンドギャップが連続的に変化する第一のAlGaN組成傾斜層が設けられており、かつ、前記第二導電型上部クラッド層と前記第二導電型GaNコンタクト層の間に、該第二導電型上部クラッド層から該第二導電型GaNコンタクト層に向かってバンドギャップが連続的に変化する第二のAlGaN組成傾斜層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (10件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA24
