特許

J-GLOBAL ID：200903083150636033

半導体レーザ素子

発明者： 三津間 高志 ,  平野 健太郎
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303810
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162073
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 ファーフィールドパターンを円形に近づける。【構成】 SCH構造の半導体レーザにおいて、導波層14と上部クラッド層15との間に付加導波層31が設けられ、付加導波層31は多重量子井戸構造を混晶化させたもので、上部クラッド層15よりも導波層14に近い屈折率であり、そのメサ部17の直下の厚さに対し両側部の厚さは著しく薄くされている。

請求項（抜粋）：

分離閉じ込めヘテロ構造を持つメサ型半導体レーザ素子において、導波層の活性層側とは反対側の全体に、その導波層の屈折率以下で、上部クラッド層の屈折率よりも大きい屈折率の、多重量子井戸構造を混晶化した付加導波層が設けられ、その付加導波層の膜厚はメサ部直下に比べてその他の部分が薄くされていることを特徴とする半導体レーザ素子。