特許

J-GLOBAL ID：200903083155066561

個別に最適化されたNチャネルおよびPチャネルトランジスタ性能のための除去可能なサイドウォールスペーサを用いるCMOSプロセス

発明者： ジュ,ドン-ヒュク
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-511192
公開番号（公開出願番号）：特表2001-516154
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2001年09月25日
要約：

【要約】設計特徴が0.25ミクロン以下のCMOS半導体装置のため、Nチャネルトランジスタ特性およびPチャネルトランジスタ特性が個別に最適化される。第1のサイドウォールスペーサを上に有するNチャネルトランジスタのゲート電極上に除去可能な第2のサイドウォールスペーサが形成される。イオン注入が行なわれ、N型の中程度/重度にドープされた注入部が形成され、続いて活性アニーリングンが行なわれる。そしてPチャネルトランジスタから第2のサイドウォールスペーサが除去され、P型の軽度にドープされた注入部のためのイオン注入マスクとして役立つ第1のサイドウォールスペーサが上に残される。続いて、上に第1のサイドウォールスペーサを有するPチャネルゲート電極上に第3のサイドウォールスペーサが形成され、続いてイオン注入が行なわれ、P型の中程度または重度にドープされた注入部が形成され、さらに続いて活性アニーリングが行われる。実施例は、第1、第2および第3のサイドウォールスペーサの幅を変えることによって、NチャネルトランジスタおよびPチャネルトランジスタのチャネル長を完全に個別に制御可能とする。

請求項（抜粋）：

NチャネルトランジスタとPチャネルトランジスタとを含むCMOS半導体装置の製造方法であって、 半導体基板の表面上に誘電層を形成するステップと、 誘電層上に導電層を形成するステップと、 導電層をパターニングして、Nチャネルトランジスタ用の第1のゲート電極とPチャネルトランジスタ用の第2のゲート電極とを形成するステップとを含み、各ゲート電極は上部表面と側部表面とを有し、前記方法はさらに、 第1のゲート電極をマスクとして使用して不純物を注入し、半導体基板内にN型の軽度にドープされた注入部を形成するステップと、 第1のゲート電極および第2のゲート電極の側部表面上に、第1の絶縁材料を含み第1の幅を有する第1のサイドウォールスペーサを形成するステップと、 第1のゲート電極および第2のゲート電極上の第1のサイドウォールスペーサ上に、第2の絶縁材料を含み第2の幅を有する第2のサイドウォールスペーサを形成するステップと、 第1のゲート電極と第1のゲート電極上の第1のサイドウォールスペーサおよび第2のサイドウォールスペーサとをマスクとして使用して不純物を注入し、半導体基板内にN型の中程度にまたは重度にドープされた注入部を形成するステップと、 第1の温度で活性化アニーリングをして、N型の軽度にドープされた部分および中程度にまたは重度にドープされた部分を含むNチャネルトランジスタのソース/ドレイン領域を形成するステップとを含み、該N型の軽度にドープされた部分は半導体基板の表面下で第1の深さまで延び、N型の中程度または重度にドープされた部分は第1の深さよりも深い第2の深さまで延び、前記方法はさらに、 第2のゲート電極から第2のサイドウォールスペーサを除去し、第2のゲート電極上に第1のサイドウォールスペーサを残すステップと、 第2のゲート電極と第2のゲート電極上の第1のサイドウォールスペーサとをマスクとして使用して不純物を注入して、半導体基板内にP型の軽度にドープされた注入部を形成するステップと、 第2のゲート電極上の第1のサイドウォールスペーサ上に、第3の絶縁材料を含み第3の幅を有する第3のサイドウォールスペーサを形成するステップと、 第2のゲート電極と第2のゲート電極上の第1のサイドウォールスペーサおよび第3のサイドウォールスペーサとをマスクとして使用して不純物を注入し、半導体基板内にP型の中程度または重度にドープされた注入部を形成するステップと、 第2の温度で活性化アニーリングして、P型の軽度にドープされた部分および中程度または重度にドープされた部分を含むPチャネルトランジスタのソース/ドレイン領域を形成するステップとを含み、該P型の軽度にドープされた部分は半導体基板の表面下で第3の深さまで延び、P型の中程度または重度にドープされた部分は第3の深さよりも深い第4の深さまで延びる、CMOS半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265 604 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 604 M ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 L

Fターム (21件)：

5F040DB03 ,  5F040EC07 ,  5F040EF02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FC21 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC19 ,  5F048BD02 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30