スパッタリングターゲット

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128736
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：

【要約】【目的】スパッタリングターゲットに関し、信頼性の高い配線膜の形成を目的とする。【構成】アルミニウム合金の熱処理時の温度条件を選択することにより、アルミニウム合金スパッタリングターゲットの合金中に析出する溶質元素の平均直径が0.1mm以下となるように小さくして、スパッタリングの際の異常放電の回数を減らし、このターゲットから得られる配線膜中に形成される大きなサイズのパーティクルの個数を減らすことで、LSI等の配線における短絡等を防止する。

請求項（抜粋）：