特許
J-GLOBAL ID:200903083156028060
スパッタリングターゲット
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-306199
公開番号(公開出願番号):特開平6-128736
出願日: 1992年10月20日
公開日(公表日): 1994年05月10日
要約:
【要約】【目的】 スパッタリングターゲットに関し、信頼性の高い配線膜の形成を目的とする。【構成】 アルミニウム合金の熱処理時の温度条件を選択することにより、アルミニウム合金スパッタリングターゲットの合金中に析出する溶質元素の平均直径が0.1mm以下となるように小さくして、スパッタリングの際の異常放電の回数を減らし、このターゲットから得られる配線膜中に形成される大きなサイズのパーティクルの個数を減らすことで、LSI等の配線における短絡等を防止する。
請求項(抜粋):
アルミニウム合金中に析出する溶質元素の最大直径を0.1mm以下としたことを特徴とするアルミニウム合金スパッタリングターゲット。
引用特許:
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