特許
J-GLOBAL ID：200903083156570832
半導体集積回路装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203037
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038057
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 2層多結晶シリコン膜電極構造のコンデンサを内蔵した半導体集積回路装置の工期を短縮する。【構成】 第1多結晶シリコン膜電極3、その上の絶縁膜4、その上の第2多結晶シリコン膜電極5を形成し、さらに絶縁膜6で被い、コンタクトホールをあけ、メタル配線7まで形成しておく。多結晶シリコン膜電極3,5には予めN型不純物を導入しておく。仕様により容量値が決定されると、レジストパターンを形成して容量値に対応した開口10を形成する。レジスト膜パターン8をマスクとしてP型不純物9をイオン注入技術により多結晶シリコン膜電極5に注入する。
請求項（抜粋）：
第1層目多結晶シリコン膜電極と第2層目多結晶シリコン膜電極が絶縁膜を間に挾んで相対する平行平板型容量素子を含んだ半導体集積回路装置において、前記第2層目多結晶シリコン膜電極が高不純物濃度領域と低不純物濃度領域とから構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
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