不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357701
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199263
出願日： 1996年12月30日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】書き込みの高速化を図る。【解決手段】書き込み用パルスの印加條件を漸次高くしてページ単位でデータの書き込みを行うとき、試験時に測定した各ページで書き込みの最も速い書き込み條件をセットして書き込みを行う。メモリアレイ11内に配置された書き込み条件設定用のセル111を、通常動作時には消去が禁止されるように制御し、またチェック回路のワイヤードORによるチェックを行うノードと反対の論理でワイヤードORによるチェックを行い、ウエハテスト時又は組み立て品テスト時に、書き込み条件を書き込み条件設定用のセルに設定し、通常書き込み時には、まず書き込み条件の読み出しを行い(この間は外部に対しては書き込みデータを読み込みを行っている)、この値を内蔵する電圧制御回路/書き込み時間発生のカウンタ回路を初期値に設定して書き込みを開始するようにする。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを有し、書き込み用パルスの印加条件を漸次高くしてページ単位でデータの書き込みを行う不揮発性半導体記憶装置であって、試験時に測定した各ページで書き込みの最も速いセルの書き込み条件が書き込まれる書込条件設定用セルを有する不揮発性半導体記憶装置。

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