特許
J-GLOBAL ID：200903083159958858

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

発明者：
山口 幸雄

山口 幸雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-194123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007956
出願日： 2001年06月27日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 リードフレーム上で樹脂封止された半導体装置を実装基板に実装する際、外部端子部(ランド)の突出長さが小さく、そのためリードフレームと実装基板との空隙を確保できないために、半導体装置を構成するリードフレームの裏面の外部電極部(ランド)と、実装基板の上面の配線パターンとを電気的に接続する半田が、リフロー工程で加熱されて溶融してショートしてしまう。【解決手段】 リードフレームのダイパッド部2は貫通穴8を有し、封止工程において、溝10を通過して貫通穴8に充填された封止樹脂7が、ダイパッド部2の裏面に突出して樹脂突出部9として形成されることで、リードフレームと実装基板との空隙を確保し、実装基板と外部端子部4とを接続する半田による電気的ショートを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に対してその各先端部が延在して配置された信号接続用リードと、前記信号接続用リードと連続した外部端子部と、前記半導体素子の電極と前記信号接続用リードとを電気的に接続する金属細線と、前記半導体素子および前記金属細線を封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッド部の底面および前記外部端子部の底面は前記封止樹脂から露出し、前記ダイパッド部は貫通穴を有し、前記貫通穴に前記封止樹脂が充填されて前記ダイパッド部の裏面から突出した樹脂突出部が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (3件)：
H01L 23/50 U ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 J
Fターム (19件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA06 ,  4M109DA09 ,  4M109DA10 ,  4M109DB03 ,  4M109FA03 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F067AA01 ,  5F067AA10 ,  5F067AA13 ,  5F067AB04 ,  5F067BA03 ,  5F067BE02
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM