特許

J-GLOBAL ID：200903083160121139

半導体装置およびその製造方法

発明者： 内山 博幸 ,  塩田 貴支
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227542
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043424
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 異方性エッチングに寄与するヴィアホール側壁に付着したポリマー3を符号15で示すように有効に除去する。【解決手段】 アンモニア系水溶液や尿素系水溶液を用いてドライエッチング後のヴィアホール内部を洗浄する。【効果】ヴィアホール側壁に強固に付着したポリマーの除去が有効に行われ,後工程の金メッキ工程で十分な膜厚の金メッキ層が形成可能となる。

請求項（抜粋）：

レジストマスクを利用した異方性ドライエッチングにより化合物半導体基板にヴィアホールを形成する工程と、該ヴィアホールの側壁に金属メッキ層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において,上記異方性ドライエッチング時に上記ヴィアホールの側壁に形成されるポリマーを,アンモニアを含有する水溶液処理により除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 N

Fターム (27件)：

5F004AA09 ,  5F004BA19 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB20 ,  5F004EA13 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F033GG02 ,  5F033JJ13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN32 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ96 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX02