特許
J-GLOBAL ID：200903083160651987
半導体装置の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-324349
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 TFTなどの半導体装置をフォトリソグラフィー工程での現像液等に浸漬すると、装置に用いられているITO等の酸化物半導体に腐食が生じる。本発明は酸化物半導体層の腐食のない半導体装置の製造方法およびそれに用いる製造装置を提供することを目的とする。【構成】 酸化物半導体電極上に絶縁層を設けた構造において、酸化物半導体電極と接続する金属電極の形成工程前後で、絶縁層の開口を複数回行う。例えば半導体装置として、液晶ディスプレイ装置を例にとり説明すると、画素電極であるITOとのコンタクトのための絶縁膜開口は、ソース・ドレイン電極形成前に行う。一方、TAB等の実装電極であるITOパターンを取り出すための絶縁膜開口はソース・ドレイン電極形成後に行う。
請求項（抜粋）：
酸化物半導体電極上に絶縁層を設けた構造において、少なくとも1つの工程がイオン導電性を有する液中で行われる、前記酸化物半導体電極と接続する金属電極の形成工程の前後で、前記絶縁層の開口を複数回行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
