特許

J-GLOBAL ID：200903083162674305

薄膜冷陰極

発明者： 池田 順司
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 細江 利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009618
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202869
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 大気中でも安定な窒化物半導体薄膜を使用した薄膜冷陰極を提供する。【解決手段】 基板上に成膜された窒化物半導体薄膜から電子を真空中に放射する薄膜冷陰極であって、前記窒化物半導体薄膜を成膜後に、弗化水素酸系溶液で処理されたことを特徴とする薄膜冷陰極。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜された窒化物半導体薄膜から電子を真空中に放射する薄膜冷陰極であって、前記窒化物半導体薄膜を成膜後に、弗化水素酸系溶液で処理されたことを特徴とする薄膜冷陰極。

IPC (4件)：

H01J 1/304 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 C ,  H01J 1/30 D ,  H01L 21/30 541 A

Fターム (3件)：

5C035BB01 ,  5C035BB03 ,  5F056EA01