特許

J-GLOBAL ID：200903083163262850

半導体装置

発明者： 山本 宗是 ,  吉田 稔彦
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機製作所
代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-235906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085285
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明では、高速スイッチングが可能な逆方向ダイオードを内蔵して成る表面ゲート型の静電誘導トランジスタなどの半導体装置を提供する。【構成】 本発明は、トランジスタ領域の周辺部の任意の箇所に位置するN- 型エピタキシャル層3の上面部にN+ 型ソース領域7と導通する金属層9aを設置し、この金属層9aとN- 型エピタキシャル層3とのショットキー接合を以って、当該箇所にショットキー・バリア・ダイオード領域14を構成して成る。また、これに加え、金属層9aの周縁部の下方に位置するN- 型エピタキシャル層3の上層部にN- 型ガードリング領域12を周回状に設けて成る。

請求項（抜粋）：

N型不純物を低濃度に含有して成るエピタキシャル層の上層部にP型不純物を低濃度に含有して成るチャンネル領域を具備するとともに、該チャンネル領域の周縁部の側方に位置する前記エピタキシャル層の上層部にP型不純物を高濃度に含有して成るゲート領域を具備し、さらに、前記チャンネル領域の表層部にN型不純物を高濃度に含有するソース領域を具備して成る半導体装置であって、前記チャンネル領域、前記ゲート領域及び前記ソース領域を含んで構成されるトランジスタ領域の周辺部に位置する前記エピタキシャル層の上面部に、前記ソース領域と導通する金属層を設置し、当該箇所に該金属層と前記エピタキシャル層で形成されるショットキー・ダイオード領域を構成して成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/804 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/48

FI (2件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 27/06 F