特許

J-GLOBAL ID：200903083167036765

半導体受光素子

発明者： 須原 基
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 松山 允之 ,  日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325046
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158763
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】素子の主面に対して平行な方向の入射光をそのまま導入でき、高速かつ高感度・高結合効率を実現できる半導体受光素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板(1)と、前記基板の上に設けられた半導体層(2)と、前記半導体層の主面上に設けられた受光部(3)と、を備え、前記基板及び前記半導体層の側面の少なくとも一部が前記主面に対して傾斜した反射面(15)とされ、前記反射面と対向する側面から入射し前記受光部よりも下を進行する光(L)を前記反射面により反射させ前記受光部に導いて検出可能としたことを特徴とする半導体受光素子を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

上面と、下面と、前記上面と前記下面との間に設けられた受光部と、第1の側面と、前記第1の側面と対向し前記上面に対して傾斜した反射面を有する第2の側面と、を備えたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L31/0232 ,  H01L31/00

FI (2件)：

H01L31/02 D ,  H01L31/00 B

Fターム (16件)：

5F088AA03 ,  5F088AA05 ,  5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088BA15 ,  5F088BB01 ,  5F088CB03 ,  5F088CB07 ,  5F088CB14 ,  5F088EA20 ,  5F088GA05 ,  5F088GA07 ,  5F088GA10 ,  5F088HA01 ,  5F088HA09 ,  5F088HA12