特許

J-GLOBAL ID：200903083170070540

オーミック電極およびその形成方法

発明者： 宮嶋 孝夫 ,  冨岡 聡
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192818
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022494
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 n型窒化物系III-V族化合物半導体に対する低接触比抵抗のオーミック電極およびその形成方法を提供する。【解決手段】 低キャリア濃度のn型GaN層1上にオーミック電極を形成する場合には、このn型GaN層1上にAl-Si合金膜またはAl/Si多層膜2を形成した後、500〜660°Cの温度で熱処理を行うことによりAl-Si合金膜またはAl/Si多層膜2中のSiをn型GaN層1中に拡散させ、高キャリア濃度のn+ 型層3を形成する。Al-Si合金膜またはAl/Si多層膜2の代わりにAu-Si合金膜またはAu/Si多層膜を用いてもよい。高キャリア濃度のn型GaN層上にオーミック電極を形成する場合には、このn型GaN層上にTi膜、Al膜、Pt膜およびAu膜を順次形成した後、700〜1100°Cの温度で熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

n型窒化物系III-V族化合物半導体に対するオーミック電極において、上記n型窒化物系III-V族化合物半導体上のSiを含む導電膜を有し、上記n型窒化物系III-V族化合物半導体と上記Siを含む導電膜との界面の近傍における上記n型窒化物系III-V族化合物半導体中に上記Siを含む導電膜からSiが拡散されていることを特徴とするオーミック電極。

IPC (4件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 29/46 H ,  H01L 21/28 301 M ,  H01L 21/285 301 M ,  H01L 33/00 C