特許

J-GLOBAL ID：200903083172608165

磁気メモリ装置

発明者： 五十嵐 実
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-163956
公開番号（公開出願番号）：特開2002-358774
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】 磁気メモリ装置の量産歩留まり、記憶容量、アクセス時間等を従来よりも改善すべく、許容される磁化反転電流の範囲を拡大可能なメモリセル構造を提供する。【解決手段】 マトリクス状に配された磁気抵抗効果型の記憶素子1と、その行毎および列毎に配された書き込み線20,30とを備え、その書き込み線20,30が発生する電流磁界により選択的に各記憶素子1の磁化方向を反転させる磁気メモリ装置において、行毎または列毎の書き込み線20,30のうちの少なくとも一方は、記憶素子1に近接して配された主回線21,31と、記憶素子1から離れて配されたバイパス回線22,32とで、その電流経路を切替可能に構成する。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配された磁気抵抗効果型の記憶素子と、当該記憶素子の行毎および列毎に配された書き込み線とを備え、当該書き込み線が発生する電流磁界により選択的に各記憶素子の磁化方向を反転させる磁気メモリ装置において、前記行毎の書き込み線と前記列毎の書き込み線との少なくとも一方は、前記記憶素子に近接して配された主回線と、当該主回線よりも前記記憶素子から離れて配されたバイパス回線とからなり、電流経路を前記主回線と前記バイパス回線とで切替可能に構成されていることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA30 ,  5F083KA03 ,  5F083KA17 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06