特許

J-GLOBAL ID：200903083186209344

タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072504
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263442
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】Ta2O5よりも一層高い比誘電率を有するタンタル系高誘電体材料、及びリーク電流特性や耐圧特性を一層改善することができるタンタル系高誘電体膜の形成方法を提供する。【構成】タンタル系高誘電体材料は、TaXOYNZの形態を有し、X,Y及びZが以下の関係を満たすことを特徴とする。X+Y+Z=10.1≦Z≦0.6250≦Y≦0.6但し、X≧0.4Y+0.6Z高誘電体膜の形成方法は、CpmTa(N3)n(ここで、Cpはシクロペンタンであり、m+n=5である)を原料として、TaXOYNZの形態を有しそしてX,Y及びZが上述の関係を満たすタンタル系高誘電体材料から成る高誘電体膜を、CVD法にて基体上に成膜する。

請求項（抜粋）：

TaXOYNZの形態を有し、X,Y及びZが以下の関係を満たすことを特徴とするタンタル系高誘電体材料。X+Y+Z=10.1≦Z≦0.6250≦Y≦0.6但し、X≧0.4Y+0.6Z

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置のキヤパシタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197240   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-332239   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-126264
  
• 特開平3-209869