特許

J-GLOBAL ID：200903083186823085

レーザ蒸着法及び該方法に使用する装置

発明者： 福島 謙輔 ,  柴垣 茂樹
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124014
公開番号（公開出願番号）：特開平9-287067
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 一般にレーザ蒸着法によれば、形成される薄膜組成の、意図する組成からのズレが大きくなったり、表面粒子が多くなって平滑面を形成しにくい傾向がある。また、マスク板を使用すると成膜速度が低下したり基板温度を高くする必要が生じる場合がある。【解決手段】 ターゲット5にレーザ光線9を照射し、ターゲット5から蒸発した粒子を基板1上に蒸着させて薄膜を形成するレーザ蒸着法において、基板1に正のバイアス電圧を印加して荷電粒子の到達を阻止すると共に、基板1とターゲット5との間に位置させたマスク板10の作動とレーザ光線9の発振とを同期させ、粒子12のうちクラスター成分が通過するタイミングで粒子12の通路をマスク板10により塞ぐレーザ蒸着法。

請求項（抜粋）：

ターゲットにレーザ光線を照射し、ターゲットから蒸発した粒子を基板上に蒸着させて薄膜を形成するレーザ蒸着法において、基板に正のバイアス電圧を印加して荷電粒子の到達を阻止すると共に、基板とターゲットとの間に位置させたマスク板の作動とレーザ光線の発振とを同期させ、前記蒸発粒子のうちクラスター成分が通過するタイミングで前記蒸発粒子の通路を前記マスク板により塞ぐことを特徴とするレーザ蒸着法。