特許
J-GLOBAL ID：200903083195319632
含フッ素高分子コーティング用組成物、該コーティング用組成物を用いた含フッ素高分子膜の形成方法、ならびにフォトレジストまたはリソグラフィーパターンの形成方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花田 吉秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-321599
公開番号（公開出願番号）：特開2007-126582
出願日： 2005年11月04日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】フォトレジスト上に、平滑性、密着性に優れた含フッ素高分子化合物の保護膜を形成する手段を提供する。また該保護膜を、下層部のフォトレジストを損なうことなく除去する手段を提供する。【解決手段】含フッ素高分子化合物を、一般式(1)で表されるフッ素化アセタール【化40】によりなる溶剤に溶解させてなる高分子コーティング用組成物を、フォトレジスト上に塗布、乾燥し、保護膜を形成する。 該特定の構造を有するフッ素化アセタールは、含フッ素高分子膜に接触させ、剥離除去し、フォトレジストまたはリソグラフィーパターンを形成する溶剤としても適する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
含フッ素高分子化合物を、一般式(1)で表されるフッ素化アセタール
IPC (4件)：
C09D 201/04
, G03F 7/11
, C09D 5/00
, H01L 21/027
C09D201/04
, G03F7/11 501
, C09D5/00 Z
, H01L21/30 574
, H01L21/30 575
2H025AB14
, 2H025AB16
, 2H025DA02
, 2H025DA34
, 4J038CH251
, 4J038CJ061
, 4J038GA12
, 4J038JA11
, 4J038KA06
, 4J038NA19
, 4J038PB08
, 4J038PC08
, 5F046CB01
, 5F046CB26
, 5F046DA07
, 5F046JA27
, 5F046PA07
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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