特許

J-GLOBAL ID：200903083196415007

半導体装置の製造装置

発明者： 佐藤 伸良 ,  中野 正 ,  太田 与洋 ,  拜田 治
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097810
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310493
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 ステップカバレージ及び平坦性に優れており、特にサブミクロンデバイスの絶縁膜として使用するのに有効であるとともに優れた膜質を有し、クラックやボイドの発生もない絶縁膜を形成することができる装置。【構成】 半導体基体を連続的に移送する搬送手段4をそなえ、この搬送手段4による移送経路に沿って半導体基体に表面処理を施す複数個の処理室1,2及び3を配置してなり、上記処理室のうち、移送経路の上流側の少なくとも1個を有機化合物処理を施す処理室とし、残余は熱CVDにより絶縁膜を形成する処理室とする。【効果】 有機化合物処理とCVD法による絶縁膜の形成処理とを、連続的に施すことができ、スループットの低下を招くことなしに有機化合物の処理ができて効率的である。

請求項（抜粋）：

半導体基体を連続的に移送する搬送手段をそなえ、この搬送手段による移送経路に沿って半導体基体に表面処理を施す複数個の処理室を配置してなる装置であって、上記処理室のうち、移送経路の上流側の少なくとも1個は有機化合物処理を施す処理室であり、残余は熱CVDにより絶縁膜を形成する処理室である半導体装置の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/90