特許

J-GLOBAL ID：200903083200941371

磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法

発明者： 芳田 伸雄 ,  小室 又洋 ,  府山 盛明 ,  福井 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-026817
公開番号（公開出願番号）：特開平11-232616
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】狭トラック、狭ギャップが達成可能で、特性の良好な磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【解決手段】下部ギャップ膜を感磁部領域の第1下部ギャップ膜と感磁部外領域の第2下部ギャップ膜とに分割し、下部シールド膜は感磁部領域に凸形状の上部平坦面を設け、上部平坦面に配置した第1下部ギャップ膜の端部に第2下部ギャップ膜及び電極を配置する。磁気抵抗効果膜の端部に配置した第1上部ギャップ膜を、磁気抵抗効果膜と第1上部ギャップ膜の上に第2上部ギャップ膜を配置する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする下部シールド膜と、電気的絶縁及び磁気的ギャップを得る下部ギャップ膜と、磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウゼンノイズを抑止する前記磁気抵抗効果膜に磁界を引加する磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜に信号検出電流を流す電極と、下部ギャップ膜と同様に電気的絶縁及び磁気的ギャップを得る上部ギャップ膜と、上部シールドと同様に磁気抵抗効果膜を磁気的にシールドする上部シールド膜とを有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記下部ギャップ膜は感磁部領域の第1下部ギャップ膜と感磁部外領域の第2下部ギャップ膜とを有し、前記第1下部ギャップ膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第2下部ギャップ膜の間隔と前記電極の間隔が略同一であり、もしくは前記第1下部ギャップ膜の前記磁気抵抗効果膜側の幅と前記第2下部ギャップ膜の間隔と前記磁区制御膜の間隔と前記電極の間隔が略同一であり、前記下部シールド膜は少なくとも感磁部領域で凸形状の上部平坦面を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。