特許
J-GLOBAL ID:200903083202721786

ヒ素(V)イオンの除去方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工業技術院物質工学工業技術研究所長
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-212761
公開番号(公開出願番号):特開平11-047765
出願日: 1997年08月07日
公開日(公表日): 1999年02月23日
要約:
【要約】【課題】 沈殿法によって、より広いpH領域で少量の処理剤でヒ素イオンを除去できる方法を提供する。【解決手段】 ヒ素(V)イオンを含有する被処理水にランタン化合物の水溶液を加えてヒ酸ランタンを沈殿させ、これを除去し、被処理水中のヒ素(V)イオンの残留濃度を排水基準以下とする水処理方法。
請求項(抜粋):
ヒ素(V)イオンを含有する被処理水にランタン化合物の水溶液を加えてヒ酸ランタンを沈殿させ、これを除去し、被処理水中のヒ素(V)イオンの残留濃度を排水基準以下とすることを特徴とする水処理方法。
引用特許:
審査官引用 (3件)

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