特許
J-GLOBAL ID：200903083203558390
ダイヤモンド膜の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313880
公開番号（公開出願番号）：特開平7-172987
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月11日
要約：
【要約】【目的】 ダイヤモンド膜の成長方法に関し、研磨効率の向上を目的とする。【構成】 DCプラズマジェットCVD法を用いて耐熱性の優れた材料基板上にダイヤモンド膜を成長させる際に、成膜条件を調節して(100)面を優先的に成長せしめて後、ダイヤモンド膜を研磨して平坦化し、必要とする膜厚に応じてダイヤモンド膜の成長と研磨を繰り返すことを特徴としてダイヤモンド膜の成長方法を構成する。
請求項（抜粋）：
耐熱性の優れた材料基板上にダイヤモンド膜を成長させる際に、成膜条件を調節して(100)面を優先的に成長せしめて後、該ダイヤモンド膜を研磨して平坦化し、必要とする膜厚に応じて該ダイヤモンド膜の成長と研磨を繰り返すことを特徴とするダイヤモンド膜の成長方法。
IPC (2件)：
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