特許

J-GLOBAL ID：200903083204641615

半導体装置の製造方法

発明者： 水津 康正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281427
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132279
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体の熱酸化工程に於いて自然酸化膜の影響を本質的に除いて良質なゲート酸化膜を形成する。【構成】 複数の基板を炉芯管内に挿入する(図中基板搬入)。炉体温度は該当する十分程度の処理時間内に基板表面が顕著な酸化を受けない、500°C程度以下に保つ。炉を密閉状態にした状態で炉芯管内の雰囲気を雰囲気1に置換し、基板表面の自然酸化膜除去を行う(洗浄処理)。炉を密閉状態のままで再び炉芯管内の雰囲気1を酸化用の雰囲気2に置換する。基板を再現性良く管理された雰囲気2の中に置いた状態で炉体ごと基板を所定の温度まで100°C/分程度以上の昇温速度で昇温し所定の時間保持する。酸化終了後、不活性雰囲気に置換し、降温して基板を搬出する。【効果】 自然酸化膜の影響を本質的に排した高品質の酸化膜を制御性良く形成できる。

請求項（抜粋）：

表面の全部または一部に自然酸化膜が存在する基板を、500°C以下の温度で炉内に挿入して外気と遮断する工程と、第一のプロセス・ガスを導入して上記基板上の自然酸化膜を除去する工程と、該基板を炉内で500°C以下に保った状態のまま酸化種を含んだ第二のプロセス・ガスを導入する工程と、該第二のプロセス・ガス雰囲気中で、該基板を毎分100°C以上の昇温速度で所定温度まで昇温する工程と、該基板を、炉体と略熱平衡状態で該所定温度に保持して基板表面の酸化を行う工程とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-066126
  
• 特開平4-254328
  
• 特開平4-245631