特許

J-GLOBAL ID：200903083214251270

半導体デバイスの研磨方法

発明者： 冨賀 敬充
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-028996
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208219
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】絶縁膜、バリア金属膜及び導体膜を有する基板を、同一金属用研磨液で連続的に導体膜の残膜とバリア金属膜とを研磨することが可能であり、配線部と絶縁膜凸部の平坦性が良好で、かつ、スクラッチを低減することが可能な半導体デバイスの研磨方法を提供する。【解決手段】凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅薄膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの製造工程における被研磨体の研磨方法であって、該研磨液が(1)重合体粒子表面に無機粒子を付着させた後、さらに有機ケイ素化合物もしくは有機金属化合物を重縮合させて得られた複合体粒子、(2)アミノ酸、及び、(3)酸化剤を含有することを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅薄膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの製造工程における被研磨体の研磨方法であって、 該研磨液が(1)重合体粒子表面に無機粒子を付着させた後、さらに有機ケイ素化合物もしくは有機金属化合物を重縮合させて得られた複合体粒子、(2)アミノ酸、及び、(3)酸化剤を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622B ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB07 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-308667   出願人：日立化成工業株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-098094   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 特開昭49-122432号公報