特許

J-GLOBAL ID：200903083217707135

半導体ウエハーのチップ分割方法

発明者： 橋村 昌樹 ,  佐藤 孝夫
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 松原 等
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284290
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりが良く、効率が高く、装置コスト及び加工コストを低減できる半導体ウエハーのチップ分割方法を提供する。【解決手段】 基板2上に半導体層3が形成されてなる半導体ウエハー1を多数の半導体チップに分割する方法であって、半導体ウエハー1の表面に格子状露出部6を残すパターンの耐ブラストマスク5を形成する工程と、ノズル20から微粒子ブラスト材21をブラストして格子状露出部6に基板2の所定深さにまで至る分割用溝7を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体層が形成されてなる半導体ウエハーを多数の半導体チップに分割する方法であって、前記半導体ウエハーの表面に格子状露出部を残すパターンの耐ブラストマスクを形成する工程と、ノズルから前記半導体ウエハーに微粒子ブラスト材をブラストして前記格子状露出部に前記基板の所定深さにまで至る分割用溝を形成する工程を含む半導体ウエハーのチップ分割方法。