特許
J-GLOBAL ID:200903083217910631

半導体装置の接続方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-062266
公開番号(公開出願番号):特開平5-267390
出願日: 1992年03月18日
公開日(公表日): 1993年10月15日
要約:
【要約】【目的】 リペアを容易にする半導体装置の接続方法を提供する。【構成】 光硬化性接着剤17を半導体装置11における入出力電極12側の表面に供給する。その供給量は半導体装置11とガラス基板18との間隙部全体に拡がらない程度に滴下する。入出力電極12に設けられた微小粒子14とガラス基板18上の配線電極19とを圧接して紫外線を照射し、光硬化性接着剤17を硬化させて半導体装置11をガラス基板18に仮止めする。電気的テストの結果異状が無ければ半導体装置11とガラス基板18の間隙部の全部に光硬化性接着剤17を供給して半導体装置11を完全に接続する。このように、半導体装置11を一旦仮止めする工程を設けることによって、半導体装置11のリペアを容易にする。
請求項(抜粋):
半導体装置上の電極と配線基板上の電極のうち少なくとも一方の上に少なくとも表面層が電気伝導性を有する介在物を設け、この介在物を介して上記配線基板上に上記半導体装置を接着剤によってフェイスダウンで加圧接続する半導体装置の接続方法であって、上記半導体装置および配線基板のいずれか一方における電極側の表面の上記半導体装置の表面より狭い領域に、上記半導体装置を配線基板上に接続した際に上記半導体装置と配線基板とが対向している面積よりも小さな領域を覆うだけの量の接着剤を供給し、上記半導体装置を配線基板上にフェイスダウンで加圧接触させ、上記接着剤を硬化させて上記半導体装置を配線基板上に接続し、その後、上記半導体装置と配線基板との間隙部における残りの全ての領域にも接着剤を供給して硬化させることを特徴とする半導体装置の接続方法。
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭62-074502
  • 特公昭23-002504

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