特許
J-GLOBAL ID：200903083218996220
高密度であって垂直方向に整列されたカーボンナノチューブの補助付きの選択的成長
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-506704
公開番号（公開出願番号）：特表2009-536912
出願日： 2007年04月16日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
薄い触媒層が堆積される支持層を選択し、熱触媒の化学気相堆積(CCVD)法を使用することによる、垂直方向に整列された、高密度のカーボンナノチューブ(CNT)の配列の選択的な成長。タンタル(Ta)の支持層上に堆積された薄い鉄(Fe)の触媒が、垂直方向の高密度のCNT配列のCCVD成長をもたらした。断面の透過型電子顕微鏡画像が、Ta上に成長させられたFeアイランド(支持層、触媒、およびそれらの界面の相対的名表面エネルギーによって制御される、アイランドに対する小さな接触角を有する)のVollmer-Weberモードを解明した。形成されたFeアイランドの形態は、触媒表面からのCNTの成長のもととなる炭素原子の表面拡散を促進した。
請求項（抜粋）：
基板上にカーボンナノチューブを成長させる方法であって、
該基板上にタンタルの層を堆積させるステップと、
該タンタルの層上に鉄の触媒層を堆積させるステップと、
該鉄の触媒層からカーボンナノチューブを成長させるステップと
を包含する、方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101F
, B01J23/74 301M
4G146AA11
, 4G146AB08
, 4G146AC03B
, 4G146AC30B
, 4G146AD22
, 4G146AD28
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC33B
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169BA18
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BC66A
, 4G169BC66B
, 4G169CB81
, 4G169DA06
, 4G169EA08
, 4G169EB15Y
, 4G169EC27
, 4G169FB03
