特許

J-GLOBAL ID：200903083231743985

磁性多層膜、磁気抵抗効果素子および磁気変換素子

発明者： 太田 学 ,  野口 潔 ,  佐野 正志 ,  荒木 悟 ,  大池 太郎
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175490
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004226
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 実用上十分な信頼性を示す酸化物反強磁性層の提供と、大きなMR変化率を示し、印加磁場が例えば-10〜10Oe程度のきわめて小さい範囲で直線的なMR変化の立ち上がり特性を示し、磁場感度が高く、高周波磁界でのMR傾きが大きい磁性多層膜と、それを用いた磁気抵抗効果素子、および磁気抵抗効果型ヘッド等の磁気変換素子を提供する。【解決手段】 基板上に、酸化物反強磁性層と、この酸化物反強磁性層によりピン止めされるピン止め強磁性層と、非磁性金属層と、フリー強磁性層とが順次積層された磁性多層膜、ないしはそれを用いた磁気抵抗効果素子、ないしはそれを用いた磁気変換素子であって、前記酸化物反強磁性層のピン止め強磁性層側における表面粗度Raが0.6nm以下、かつ前記酸化物反強磁性層の結晶粒径Dが10〜40nmであるように構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、酸化物反強磁性層と、この酸化物反強磁性層によりピン止めされるピン止め強磁性層と、非磁性金属層と、フリー強磁性層とが順次積層され、前記酸化物反強磁性層のピン止め強磁性層側における表面粗度Raが0.6nm以下、かつ前記酸化物反強磁性層の結晶粒径Dが10〜40nmであることを特徴とする磁性多層膜。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08