特許

J-GLOBAL ID：200903083239871729

半導体装置

発明者： 山本 明広 ,  工藤 千秋
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249742
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 特定の印加電圧の範囲内において、容量値の印加電圧依存性を低減させる。【構成】 MISダイオードD1は下部電極14aと、絶縁膜15a、ポリシリコンからなる上部電極16aとを備え、MISダイオードD2は下部電極14bと絶縁膜15bと上部電極16bとを有する。これら二つのMISダイオードD1,D2は同じ構造のダイオードである。MISダイオードD1,D2はN-拡散層12a,12b、およびフィールド酸化膜13によって電気的に分離されている。MISダイオードD1,D2の面積は互いに異なっており、その面積比は10:1である。

請求項（抜粋）：

一対の容量値の異なるMISダイオードと、前記一対のMISダイオードを逆並列に接続する配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/86 ,  H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/91 K