特許
J-GLOBAL ID：200903083240589034
半導体電力変換装置の制御装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000740
公開番号（公開出願番号）：特開2001-197732
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】直流電流出力の同一回路構成の複数台の半導体電力変換回路を並列運転する際に好適な制御装置を提供する。【解決手段】制御装置を介することによりマスタ-スレーブ制御を行わせるために、従制御回路70,80では主半導体電力変換回路10の出力電流の検出値を設定値とする電流の調節演算値をゲイン調整器71,(81)でゲイン倍し、このゲイン倍値と主制御回路40の調節演算値とを加算した値を信号波として、PWM演算を行わせる。
請求項（抜粋）：
同一回路構成の複数台の半導体電力変換器それぞれの入力側及び出力側を互いに並列接続し、前記複数台の半導体電力変換器の内、いずれか1台を主半導体電力変換器とし、他は従半導体電力変換器とした半導体電力変換装置であって、前記入力側に接続された直流電源に前記それぞれの半導体電力変換器を介することにより所望の直流電流に変換して前記出力側から負荷に供給する半導体電力変換装置の制御装置において、この制御装置には主半導体電力変換器を制御する主制御回路と、それぞれの従半導体電力変換器をそれぞれ制御する従制御回路とを備え、前記主制御回路では指令される電流設定値と主半導体電力変換器の出力電流との偏差を零にする調節演算を行ない、この調節演算値に基づくPWM演算結果により該主半導体電力変換器を構成する自己消弧型半導体素子をオン,オフさせ、前記それぞれの従制御回路では前記主半導体電力変換器の出力電流と対応するそれぞれの従半導体電力変換器の出力電流との偏差を零にする調節演算を行ない、この調節演算値をゲイン倍した値と前記主制御回路の調節演算値とを加算した値に基づき前記主制御回路のPWM演算と同一搬送波でのPWM演算結果により該従半導体電力変換器を構成する自己消弧型素子をオン,オフさせることを特徴とする半導体電力変換装置の制御装置。
Fターム (7件)：
5H730BB13
, 5H730BB57
, 5H730BB82
, 5H730DD03
, 5H730FD31
, 5H730FF02
, 5H730FG05
